SIHB120N60E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 906 шт
Количество Цена
1 1 199 ₽
10 804 ₽
50 634 ₽
100 579 ₽
500 484 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+72 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SIHB120N60E-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SIHB120N60E-GE3 от 484 рублей в наличии 906 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB120N60E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 25А; 179Вт; D2PAK,TO263

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    179Вт
  • Полярность
    полевой
  • Заряд затвора
    45нC
  • Ток стока
    25А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,12Ом
  • Gate-source voltage
    ±30В
  • Вес
    1.8g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация