SIHB100N60E-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 50 шт
Количество Цена
1 1 136 ₽
5 916 ₽
10 805 ₽
25 672 ₽
50 666 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+99 баллов
SIHB100N60E-GE3 от 666 рублей в наличии 50 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIHB100N60E-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    50нC
  • Напряжение сток-исток
    600В
  • Ток стока
    19А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,1Ом
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Ток стока в импульсном режиме
    73А
  • Корпус
    D2PAK
  • Корпус
    TO263
  • Рассеиваемая мощность
    208Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    2g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация