SIDR680DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 8 шт
Количество Цена
1 2 144 ₽
10 688 ₽
100 405 ₽
500 314 ₽
3000 255 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+38 баллов
SIDR680DP-T1-GE3 от 255 рублей в наличии 8 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIDR680DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    125Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    105нC
  • Ток стока
    100А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    80В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    3,4мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    200А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация