SIDR638DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 18003 шт
Количество Цена
5 705 ₽
50 374 ₽
100 339 ₽
500 289 ₽
1500 271 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+40 баллов
SIDR638DP-T1-GE3 от 271 рублей в наличии 18003 шт производства VISHAY, купить от 5 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIDR638DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    204нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Ток стока
    100А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,16мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    400А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    125Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация