SIB912DK-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SIB912DK-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SIB912DK-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SIB912DK-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 1,5А; Idm: 5А; 2Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SC75
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    3нC
  • Ток стока
    1,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    216мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация