SIB457EDK-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 80417 шт
Количество Цена
1 146 ₽
100 59 ₽
1000 41 ₽
6000 32 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
SIB457EDK-T1-GE3 от 32 рублей в наличии 80417 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIB457EDK-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SC75
  • Рассеиваемая мощность
    8,4Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    44нC
  • Ток стока
    -6,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    35мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -25А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация