SIB417EDK-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1989 шт
Количество Цена
31 164 ₽
75 137 ₽
297 109 ₽
1480 96 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
SIB417EDK-T1-GE3 от 96 рублей в наличии 1989 шт производства VISHAY, купить от 31 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIB417EDK-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    13Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    12нC
  • Ток стока
    -9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -8В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,25Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    -15А
  • Gate-source voltage
    ±5В
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация