Каталог товаров

SIA931DJ-T1-GE3

  • всего в наличии: 1809 шт
Количество Цена ₽ /шт
5 180
50 92
100 81
500 72
1500 63
Добавить 5 шт. на ₽
В корзину
От 5 шт.
Доступно 1 809 шт.

Условия

  • Минимально 5 и кратно 5
  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIA931DJ-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIA931DJ-T1-GE3 от 5 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIA931DJ-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,3А; Idm: -28А; 5Вт

Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 5Вт
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 65мОм
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SC70
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -28А
Выбрано: Показать
Заряд затвора 13нC
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Ток стока -4,3А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти