В корзине
нет товаров
SIA907EDJT-T1-GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии
2937 шт
| Количество | Цена |
|---|---|
| 1 | 1 650 ₽ |
| 10 | 354 ₽ |
| 100 | 164 ₽ |
| 500 | 122 ₽ |
| 3000 | 96 ₽ |
+
-
Бесплатная доставка
-
УсловияМинимально 1 и кратно 1Срок поставки 4-6 недель
Цена включает НДС -
АртикулSIA907EDJT-T1-GE3
-
ПроизводительVISHAY
SIA907EDJT-T1-GE3 от 96 рублей в наличии 2937 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно 
банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
банковской картой или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.
SIA907EDJT-T1-GE3 описание и характеристики
Транзистор: P-MOSFET x2; TrenchFET®; полевой; -12В; -4,5А; Idm: 15А
