SIA517DJ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1939 шт
Количество Цена
1 209 ₽
10 148 ₽
100 99 ₽
500 74 ₽
2000 55 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
SIA517DJ-T1-GE3 от 55 рублей в наличии 1939 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA517DJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    6,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    20/15нC
  • Ток стока
    4,5/-4,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    12/-12В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    170/65мОм
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация