SIA445EDJT-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 11805 шт
Количество Цена
1 1 469 ₽
10 234 ₽
100 80 ₽
500 54 ₽
3000 40 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
SIA445EDJT-T1-GE3 от 40 рублей в наличии 11805 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA445EDJT-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    69нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Ток стока
    -12А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    31мОм
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -50А
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    19Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация