Каталог товаров

SIA430DJT-T1-GE3

  • всего в наличии: 19560 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 416
10 223
50 96
500 51
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 19 560 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SIA430DJT-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SIA430DJT-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SIA430DJT-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® SC70
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 19,2Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 18нC
Выбрано: Показать
Ток стока 12А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 20В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 18,5мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 40А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти