SIA4265EDJ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1002 шт
Количество Цена
1 1 439 ₽
10 218 ₽
100 70 ₽
500 46 ₽
3000 33 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
SIA4265EDJ-T1-GE3 от 33 рублей в наличии 1002 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA4265EDJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    36нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Ток стока
    -9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    67,5мОм
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    15,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация