SIA112LDJ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 4288 шт
Количество Цена
1 1 513 ₽
10 265 ₽
100 102 ₽
500 71 ₽
3000 54 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
SIA112LDJ-T1-GE3 от 54 рублей в наличии 4288 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SIA112LDJ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    11,8нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Ток стока
    8,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    135мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    10А
  • Корпус
    PowerPAK® SC70
  • Рассеиваемая мощность
    15,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация