SI9945BDY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+16 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI9945BDY-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI9945BDY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 5,3А; Idm: 20А; 2Вт; SO8

  • Монтаж
    SMD
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Сопротивление в открытом состоянии
    58мОм
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Производитель
    VISHAY
  • Корпус
    SO8
  • Ток стока в импульсном режиме
    20А
  • Заряд затвора
    20нC
  • Полярность
    полевой
  • Ток стока
    5,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вес
    0.116g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация