SI9926CDY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2300 шт
Количество Цена
1 326 ₽
5 259 ₽
10 226 ₽
50 164 ₽
500 111 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+16 баллов
SI9926CDY-T1-GE3 от 111 рублей в наличии 2300 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI9926CDY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 8А; Idm: 30А; 2Вт; SO8

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    33нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    18мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    30А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация