SI9407BDY-T1-GE3

нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+13 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI9407BDY-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
Вы можете запросить у нас любое количество SI9407BDY-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI9407BDY-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A

  • Производитель
    VISHAY
  • Технология
    TrenchFET®
  • Монтаж
    SMD
  • Рассеиваемая мощность
    5W
  • Корпус
    SO8
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Напряжение сток-исток
    -60V
  • Ток стока
    -4.7A
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0.15Ω
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Полярность
    unipolar
  • Заряд затвора
    22nC
  • Вид канала
    enhanced
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20A
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация