SI9407BDY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2000 шт
Количество Цена
1 297 ₽
5 233 ₽
10 205 ₽
50 150 ₽
500 95 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
SI9407BDY-T1-GE3 от 95 рублей в наличии 2000 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI9407BDY-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -4.7A; Idm: -20A

  • Производитель
    VISHAY
  • Технология
    TrenchFET®
  • Монтаж
    SMD
  • Рассеиваемая мощность
    5W
  • Корпус
    SO8
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Напряжение сток-исток
    -60V
  • Ток стока
    -4.7A
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0.15Ω
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Полярность
    unipolar
  • Заряд затвора
    22nC
  • Вид канала
    enhanced
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20A
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне
Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация