SI8821EDB-T2-E1

SI8821EDB-T2-E1
SI8821EDB-T2-E1
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+2 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI8821EDB-T2-E1
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 156 KB
Вы можете запросить у нас любое количество SI8821EDB-T2-E1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI8821EDB-T2-E1 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    17нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Ток стока
    -2,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,215Ом
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Ток стока в импульсном режиме
    -15А
  • Корпус
    MICROFOOT®
  • Рассеиваемая мощность
    0,9Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Каталог
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация