Каталог товаров

SI8816EDB-T2-E1

  • всего в наличии: 20980 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 382
10 202
100 62
500 40
3000 28.5
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 20 980 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI8816EDB-T2-E1

Производитель

Техническое описание

Купить SI8816EDB-T2-E1 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI8816EDB-T2-E1 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус MICROFOOT®
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 0,9Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 8нC
Выбрано: Показать
Ток стока 2,3А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток 30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора N-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 142мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме 8А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Вес 0.001g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти