SI8816EDB-T2-E1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 723 шт
Количество Цена
1 1 430 ₽
10 210 ₽
100 64 ₽
500 41 ₽
3000 29.5 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
SI8816EDB-T2-E1 от 29.5 рублей в наличии 723 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI8816EDB-T2-E1 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    MICROFOOT®
  • Рассеиваемая мощность
    0,9Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    8нC
  • Ток стока
    2,3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    142мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация