SI8429DB-T1-E1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+13 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI8429DB-T1-E1, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI8429DB-T1-E1 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    MICROFOOT® 1.6x1.6
  • Рассеиваемая мощность
    6,25Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    32нC
  • Ток стока
    -11,7А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -8В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    98мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    -25А
  • Gate-source voltage
    ±5В
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация