SI8410DB-T2-E1

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 7265 шт
Количество Цена
1 317 ₽
10 200 ₽
50 150 ₽
500 105 ₽
9000 75 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI8410DB-T2-E1
  • Производитель
    VISHAY
SI8410DB-T2-E1 от 75 рублей в наличии 7265 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI8410DB-T2-E1 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    16нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Ток стока
    5,7А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    68мОм
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Ток стока в импульсном режиме
    20А
  • Корпус
    MICROFOOT® 1.6x1.6
  • Рассеиваемая мощность
    1,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация