SI7772DP-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2820 шт
Количество Цена
1 1 539 ₽
10 279 ₽
100 111 ₽
500 79 ₽
3000 60 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+8 баллов
SI7772DP-T1-GE3 от 60 рублей в наличии 2820 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI7772DP-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Заряд затвора
    28нC
  • Технология
    TrenchFET®
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Ток стока
    35,6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Сопротивление в открытом состоянии
    16,5мОм
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока в импульсном режиме
    50А
  • Корпус
    PowerPAK® SO8
  • Рассеиваемая мощность
    29,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Тип транзистора
    N-MOSFET + Schottky
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация