Каталог товаров

SI7611DN-T1-GE3

  • всего в наличии: 4938 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 712
10 418
50 247
100 212
500 162
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 4 938 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI7611DN-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI7611DN-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI7611DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -40В; -18А; Idm: -20А; 25Вт

Сопротивление в открытом состоянии 25мОм
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -20А
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -40В
Выбрано: Показать
Корпус PowerPAK® 1212-8
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 25Вт
Выбрано: Показать
Ток стока -18А
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 62нC
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Вес 0.025g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти