SI7317DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+34 балла
Вы можете запросить у нас любое количество SI7317DN-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI7317DN-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    19,8Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    9,8нC
  • Ток стока
    -2,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -150В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    1,3Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
    -2А
  • Gate-source voltage
    ±30V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация