SI7308DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+14 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI7308DN-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI7308DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 60В; 6А; Idm: 20А; 12,7Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    12,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    13нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    72мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    20А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация