SI7101DN-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 39144 шт
Количество Цена
1 355 ₽
10 226 ₽
50 170 ₽
500 120 ₽
9000 87 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+13 баллов
SI7101DN-T1-GE3 от 87 рублей в наличии 39144 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI7101DN-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А; 33Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Рассеиваемая мощность
    33Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    102нC
  • Ток стока
    -35А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    7,2мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±25В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -80А
  • Gate-source voltage
    ±25V
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация