SI6968BEDQ-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI6968BEDQ-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI6968BEDQ-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSSOP8
  • Рассеиваемая мощность
    1,5Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    18нC
  • Ток стока
    6,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    30мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    30А
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация