SI5935CDC-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5898 шт
Количество Цена
1 161 ₽
50 73 ₽
500 49 ₽
9000 33.5 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
SI5935CDC-T1-GE3 от 33.5 рублей в наличии 5898 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI5935CDC-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -4А; Idm: -10А; 2Вт; ChipFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    ChipFET8
  • Рассеиваемая мощность
    2Вт
  • Полярность
    полевой
  • Корпус (люймы)
    1206
  • Корпус - мм
    3216
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    11нC
  • Ток стока
    -4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET x2
  • Сопротивление в открытом состоянии
    156мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -10А
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация