SI5517DU-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+121 балл
Вы можете запросить у нас любое количество SI5517DU-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI5517DU-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    ChipFET8
  • Рассеиваемая мощность
    8,3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Корпус (люймы)
    1206
  • Корпус - мм
    3216
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    14/16нC
  • Ток стока
    6/-6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20/-20В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    131/55мОм
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация