SI5515CDC-T1-E3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 7670 шт
Количество Цена
1 1 543 ₽
10 281 ₽
50 138 ₽
500 80 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+12 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI5515CDC-T1-E3
  • Производитель
    VISHAY
SI5515CDC-T1-E3 от 80 рублей в наличии 7670 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI5515CDC-T1-E3 описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    ChipFET8
  • Рассеиваемая мощность
    3,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Корпус (люймы)
    1206
  • Корпус - мм
    3216
  • Вид упаковки
    лента
  • Вид упаковки
    бобина
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    11/11,3нC
  • Ток стока
    4/-4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20/-20В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    156/50мОм
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация