SI5513CDC-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 5 шт
Количество Цена
1 211 ₽
10 116 ₽
500 58 ₽
3000 42 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
SI5513CDC-T1-GE3 от 42 рублей в наличии 5 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI5513CDC-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N/P-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    ChipFET8
  • Рассеиваемая мощность
    3,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Корпус (люймы)
    1206
  • Корпус - мм
    3216
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    5,6/4,2нC
  • Ток стока
    4/-3,7А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20/-20В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    255/85мОм
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.001g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация