SI4564DY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 1503 шт
Количество Цена
1 448 ₽
10 262 ₽
100 210 ₽
1000 141 ₽
5000 113 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+17 баллов
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI4564DY-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI4564DY-T1-GE3 от 113 рублей в наличии 1503 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI4564DY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N/P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 8/-7,4А; Idm: 40А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    2/2,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    31/63нC
  • Ток стока
    8/-7,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Тип транзистора
    N/P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    17,5/21мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±16/±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    40А
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Вы смотрели:

Похожие товары

Регистрация