SI4463BDY-T1-E3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2446 шт
Количество Цена
1 473 ₽
10 304 ₽
100 270 ₽
500 235 ₽
1000 207 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+31 балл
SI4463BDY-T1-E3 от 207 рублей в наличии 2446 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI4463BDY-T1-E3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -9,8А; Idm: -50А; 0,95Вт; SO8

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SO8
  • Рассеиваемая мощность
    3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    56нC
  • Ток стока
    -9,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    20мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±12В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -50А
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.025g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация