SI4435FDY-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI4435FDY-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4435FDY-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -12,6А; Idm: -32А

  • Производитель
    VISHAY
  • Корпус
    SO8
  • Монтаж
    SMD
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Напряжение сток-исток
    -30В
  • Полярность
    полевой
  • Рассеиваемая мощность
    4,8Вт
  • Сопротивление в открытом состоянии
    30мОм
  • Технология
    TrenchFET®
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Ток стока
    -12,6А
  • Ток стока в импульсном режиме
    -32А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    28нC
  • Вес
    0.165g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация