Бесплатная доставка по России
Каталог товаров

SI4153DY-T1-GE3

SI4153DY-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 13015 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 1 504
10 271
50 131
500 75
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 13 015 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI4153DY-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI4153DY-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI4153DY-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: P-MOSFET

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SO8
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 5,6Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Заряд затвора 93нC
Выбрано: Показать
Ток стока -19,3А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 15мОм
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -100А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±25V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g

Вы недавно смотрели

Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти