SI3900DV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 58802 шт
Количество Цена
1 363 ₽
10 225 ₽
100 147 ₽
1000 105 ₽
6000 80 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+11 баллов
SI3900DV-T1-GE3 от 80 рублей в наличии 58802 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3900DV-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Корпус
    SC74
  • Рассеиваемая мощность
    1,15Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    4нC
  • Ток стока
    2,4А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    0,2Ом
  • Ток стока в импульсном режиме
  • Gate-source voltage
    ±12V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация