SI3474DV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 11085 шт
Количество Цена
1 1 441 ₽
10 220 ₽
100 71 ₽
500 46.5 ₽
3000 34 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
SI3474DV-T1-GE3 от 34 рублей в наличии 11085 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3474DV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 100В; 3,8А; Idm: 14А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Корпус
    SC74
  • Рассеиваемая мощность
    2,33Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    10,4нC
  • Ток стока
    3,8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    100В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    126мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    14А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация