SI3433CDV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 24747 шт
Количество Цена
1 150 ₽
100 60 ₽
1000 41 ₽
6000 32 ₽
15000 29 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
SI3433CDV-T1-GE3 от 29 рублей в наличии 24747 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3433CDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    2,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    45нC
  • Ток стока
    -6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    38мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация