SI3433CDV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 525 шт
Количество Цена
1 1 449 ₽
10 224 ₽
100 73 ₽
500 49 ₽
3000 35.6 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
SI3433CDV-T1-GE3 от 35.6 рублей в наличии 525 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3433CDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -20В; -6А; Idm: -20А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Корпус
    SC74
  • Рассеиваемая мощность
    3,3Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    45нC
  • Ток стока
    -6А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    60мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация