SI3429EDV-T1-GE3

SI3429EDV-T1-GE3
SI3429EDV-T1-GE3
Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
Вы можете запросить у нас любое количество SI3429EDV-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI3429EDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -8А; Idm: -40А; 2,7Вт; TSOP6

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    2,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    43,2нC
  • Ток стока
    -8А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    38мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -40А
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Каталог
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text