SI3424CDV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 94101 шт
Количество Цена
1 1 432 ₽
10 210 ₽
100 64 ₽
1000 40 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+6 баллов
SI3424CDV-T1-GE3 от 40 рублей в наличии 94101 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3424CDV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 30В; 8А; Idm: 20А; 2,3Вт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Корпус
    SC74
  • Рассеиваемая мощность
    3,6Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    12,5нC
  • Ток стока
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    30В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    32мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    20А
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация