SI3127DV-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 148584 шт
Количество Цена
1 134 ₽
100 54 ₽
1000 37 ₽
6000 29 ₽
15000 26 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
SI3127DV-T1-GE3 от 26 рублей в наличии 148584 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3127DV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    2,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    30нC
  • Ток стока
    -5,1А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    89мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация