SI3127DV-T1-GE3

всего в наличии 7356 шт
Количество Цена
1 110 ₽
100 55 ₽
1000 37 ₽
6000 27.6 ₽
15000 26 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+3 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI3127DV-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
SI3127DV-T1-GE3 от 26 рублей в наличии 7356 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI3127DV-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -60В; -5,1А; Idm: -20А

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    TSOP6
  • Рассеиваемая мощность
    2,7Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    30нC
  • Ток стока
    -5,1А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -60В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    89мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация