Каталог товаров

SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 471410 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 89
100 35
3000 19.6
24000 14.2
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 471 410 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI2371EDS-T1-GE3

Производитель

Техническое описание

Купить SI2371EDS-T1-GE3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2371EDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -4,8А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Версия ESD
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 1,1Вт
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Характеристики полупроводниковых элементов ESD protected gate
Выбрано: Показать
Заряд затвора 35нC
Выбрано: Показать
Ток стока -4,8А
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Напряжение сток-исток -30В
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 45мОм
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±12В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -20А
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±12V
Выбрано: Показать
Вес 0.1g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти