SI2367DS-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 2986 шт
Количество Цена
1 1 429 ₽
10 211 ₽
100 65 ₽
500 42 ₽
3000 30 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+4 балла
SI2367DS-T1-GE3 от 30 рублей в наличии 2986 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI2367DS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3А; 1,1Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    1,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    9нC
  • Ток стока
    -3А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    66мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Вес
    0.02g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация