SI2365EDS-T1-GE3

всего в наличии 2145 шт
Количество Цена
1 87 ₽
50 41 ₽
500 27.6 ₽
2500 20.5 ₽
21000 19.3 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+2 балла
  • Условия
    Минимально 1 и кратно 1
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2365EDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
SI2365EDS-T1-GE3 от 19.3 рублей в наличии 2145 шт производства VISHAY, купить от 1 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI2365EDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -4,5А; Idm: -20А; 1,1Вт; SOT23

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    1,1Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Характеристики полупроводниковых элементов
    ESD protected gate
  • Заряд затвора
    36нC
  • Ток стока
    -4,5А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    -20В
  • Тип транзистора
    P-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    32мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±8В
  • Ток стока в импульсном режиме
    -20А
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

Регистрация