Каталог товаров

SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Изображения демонстрационные и могут отличаться от товара. Смотрите техническое описание.

  • всего в наличии: 2792 шт
Количество Цена ₽ /шт
1 203
5 119
25 107
100 95
500 85
Добавить 1 шт. на ₽
В корзину
Доступно 2 792 шт.

Условия

  • Срок поставки 4-6 недель
  • Цена включает НДС

Артикул

SI2319DS-T1-E3

Производитель

Видео

Техническое описание

Купить SI2319DS-T1-E3 от 1 шт с помощью банковской карты Visa, Mastercard, МИР можно прямо сейчас на нашем сайте.

Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2319DS-T1-E3 описание и характеристики

Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -40В; -2,4А; Idm: -12А

Напряжение сток-исток -40В
Выбрано: Показать
Ток стока в импульсном режиме -12А
Выбрано: Показать
Рассеиваемая мощность 0,8Вт
Выбрано: Показать
Корпус SOT23
Выбрано: Показать
Технология TrenchFET®
Выбрано: Показать
Полярность полевой
Выбрано: Показать
Тип транзистора P-MOSFET
Выбрано: Показать
Производитель VISHAY
Выбрано: Показать
Ток стока -2,4А
Выбрано: Показать
Напряжение затвор-исток ±20В
Выбрано: Показать
Монтаж SMD
Выбрано: Показать
Заряд затвора 17нC
Выбрано: Показать
Вид упаковки бобина
Выбрано: Показать
Вид упаковки лента
Выбрано: Показать
Вид канала обогащенный
Выбрано: Показать
Gate-source voltage ±20V
Выбрано: Показать
Сопротивление в открытом состоянии 0,13Ом
Выбрано: Показать
Вес 0.026g
Сравнить 2 товара
Мы используем файлы cookies. Подробнее
Я согласен
Добавлен в список «новый спиосок моих покупок»
Перейти