SI2318DS-T1-E3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+5 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI2318DS-T1-E3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2318DS-T1-E3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; TrenchFET®; полевой; 40В; 3А; Idm: 16А; 750мВт

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Напряжение сток-исток
    40В
  • Полярность
    полевой
  • Сопротивление в открытом состоянии
    58мОм
  • Технология
    TrenchFET®
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Ток стока в импульсном режиме
    16А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Заряд затвора
    10нC
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Ток стока
    2,4А
  • Рассеиваемая мощность
    0,75Вт
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация