SI2316BDS-T1-GE3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+7 баллов
Вы можете запросить у нас любое количество SI2316BDS-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2316BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    1.66W
  • Полярность
    unipolar
  • Вид упаковки
    reel
  • Вид упаковки
    tape
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    9.6nC
  • Ток стока
    4.5A
  • Вид канала
    enhanced
  • Напряжение сток-исток
    30V
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    80mΩ
  • Ток стока в импульсном режиме
    20A
  • Gate-source voltage
    ±20V
  • Вес
    0.01g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация