SI2312BDS-T1-E3

Изображения являются демонстрационными и могут отличаться от реального товара.
Смотрите техническое описание товара.
всего в наличии 371 шт
Количество Цена
11 161 ₽
26 101 ₽
121 60 ₽
Бесплатная доставка
и получите
+9 баллов
  • Условия
    Минимально 11 и кратно 11
    Срок поставки 4-6 недель
    Цена включает НДС
  • Артикул
    SI2312BDS-T1-E3
  • Производитель
    VISHAY
SI2312BDS-T1-E3 от 60 рублей в наличии 371 шт производства VISHAY, купить от 11 шт можно банковской картой
или получить счёт для оплаты юридическим лицом прямо сейчас на нашем сайте.

SI2312BDS-T1-E3 описание и характеристики

Transistor: N-MOSFET

  • Производитель
    VISHAY
  • Монтаж
    SMD
  • Корпус
    SOT23
  • Рассеиваемая мощность
    1,25Вт
  • Полярность
    полевой
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Технология
    TrenchFET®
  • Заряд затвора
    12нC
  • Ток стока
    3,9А
  • Вид канала
    обогащенный
  • Напряжение сток-исток
    20В
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Сопротивление в открытом состоянии
    47мОм
  • Ток стока в импульсном режиме
    15А
  • Gate-source voltage
    ±8V
  • Вес
    0.1g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи

Перезвоните мне

Похожие товары

Регистрация