SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
нет в наличии

по запросу
Бесплатная доставка
и получите
+7 баллов
  • Условия
    Минимально 5 и кратно 5
    Срок поставки и цену сообщим по вашему запросу
  • Артикул
    SI2308BDS-T1-GE3
  • Производитель
    VISHAY
  • Техническое описание:
    Документация язык en
    Pdf, 256.79 KB
Вы можете запросить у нас любое количество SI2308BDS-T1-GE3, просто отправьте нам запрос на поставку.
Работаем с частными и юридическими лицами.

SI2308BDS-T1-GE3 описание и характеристики

Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 1,8А; 1,06Вт; SOT23

  • Вид канала
    обогащенный
  • Монтаж
    SMD
  • Напряжение сток-исток
    60В
  • Рассеиваемая мощность
    1,06Вт
  • Полярность
    полевой
  • Заряд затвора
    2,3нC
  • Производитель
    VISHAY
  • Ток стока
    1,8А
  • Тип транзистора
    N-MOSFET
  • Вид упаковки
    бобина
  • Вид упаковки
    лента
  • Корпус
    SOT23
  • Сопротивление в открытом состоянии
    192мОм
  • Напряжение затвор-исток
    ±20В
  • Вес
    0.018g
Бесплатная доставка
Доставим прямо в руки или в ближайший пункт выдачи
+7 (499) 677-21-46

Перезвоните мне

Смежные товары

Похожие товары

+7 (499) 677-21-46
Вход | Регистрация
Вход | Регистрация
В корзине
нет товаров
+7 (499) 677-21-46
Каталог
Корзина
нет товаров
Главная Каталог Корзина Профиль
Регистрация

Способ доставки

Курьером

Самовывоз

Куда доставить заказ?
Выберите пункт выдачи на карте или используйте поиск
Определить местоположение
alt text